标签：氮化镓功率电子器件封装技术研究进展(氮化镓芯片封装工艺流程)

2024-04-05ceping阅读(1)评论(0)赞(0)

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展(氮化镓芯片封装工艺流程) 摘要: 氮化镓( GaN) 高电子迁移率晶体管( high electron mobility transistor，HEMT) 以其击穿